Электронные акцепторы и доноры — Справочник химика 21
Введение металлов, обладающ,их меньшей электроотрицательностью по сравнению с СиО и поэтому действующих как доноры электронов (щелочные или щелочноземельные металлы), повышает активность и снижает селективность. Электронные акцепторы (С1 , SO , S, Р), напротив, увеличивают селективность и уменьшают активность [74, 75]. [c.97]Третья стадия процессов окисления — передача электронов от донора к акцептору (от реагента к кислороду), в отличие от первых двух, является специфичной для гетерогенного катализа и связывает его с проблемами физики твердого тела. Принципиально проблема подвижности электронов в адсорбционном комплексе не отличается от проблемы подвижности электронов внутри молекулы, поскольку такая подвижность обусловливает реакционную способность системы. Действительно, реакцию окисления какого-либо соединения, например 80-2, на твердом катализаторе можно себе представить в виде [c.28]
Частицы, которые при взаимодействии в данном процессе отдают электроны, называются донорами электронов, а частицы, которые их принимают, — акцепторами электронов.
На основании экспериментальных и лит(«ратурных данных показано влияние типа симметрии донора н сродства к электрону акцептора на стойкость сложных комплексов в диоксане, этил-ацетате, уксусном ангидриде и ацетоне. [c.137]
Так возникают комплексы с переносом заряда [277], характеризующиеся частичным или полным переносом электрона от донора к акцептору [282]. Возникающее полярное состояние имеет ион-радикальную природу [277] и является парамагнитным. [c.285]
Помимо рассмотренного механизма образования ковалентной связи, согласно которому общая электронная пара возникает при взаимодействии двух электронов, существует также особый донорно-акцеп-торный механизм. Он заключается в том, что ковалентная связь образуется в результате перехода уже существующей электронной пары донора (поставщика электронов) в общее пользование донора и акцептора. Донорно-акцепторный механизм хорошо иллюстрируется схемой образования иона аммония (точками обозначены электроны внешнего уровня атома азота)
[c.35]Согласно второй версии, ня первой стадии реакции акцептором электронов от донора-металла является диен, а реакция. завершается присоединением протонов, донором которых является спирт или вода [c.68]
Атом, предоставляющий для связи пару электронов, называют донором. Атом со свободной орбиталью, принимающий эту пару, называют акцептором. Характерными особенностями ковалентной связи являются ее насыщаемость, направленность и поляризуемость. [c.231]
В настоящее время представляет большой интерес изучение молекулярных комплексов электронодонорно-акцепторного типа [Д…..А], т. е. КПЗ. Такой комплекс образуется при взаимодействии электронов молекул донора (Д) и акцептора (А)
Проводимость полупроводников может быть обусловлена нарушением идеальной периодичности кристаллической решетки, например, за счет примесных атомов постороннего вещества, у которого зона проводимости совпадает с запрещенной зоной основного вещества. При этом если атомы примеси отдают свои электроны, то они попадают только в зону проводимости (рис. П1.35, а). Примеси такого типа называются донорами, а сам кристалл называется полупроводником /г-типа. Когда атомы примеси обладают электроно-акцептор-ными свойствами, они захватывают электроны из заполненной зоны, где образуются пустые места, или дырки, куда и попадают электроны проводимости (рис. П1.35, б). Такое вещество называется полупроводником дырочного, или р-типа. [c.203]
Г. Люисом (1923) была предложена электронная теория кислот и оснований, основанная на современных представлениях о природе химической связи, главным образом донорно-акцепторной. По Льюису, кислота — акцептор неподелен-иой пары электронов, т. е. реагент, присоединяющий пару электронов основание — донор электронной пары, т. е. реагент, отдающий пару электронов, например [c.30]
Проявление ковалентной связи в кристаллогидратах. Образование соединений с ковалентным типом связи может происходить не только по обменному механизму, но также и при взаимодействии одного атома или иона с заполненной орбиталью с другим атомом или ионом, имеющим вакантную орбиталь. Такой механизм образования химической связи называется донорно-акцепторным. Атом или ион, поставляющий пару электронов, называют донором, а атом или ион, к которому эта пара электронов перемещается,— акцептором. [c.21]
Акцептор Донор электронов [c.302]
Чтобы уравнять число электронов, отдаваемых донором (5 ) и приобретаемых акцептором (Ы » ), находим наименьшее общее кратное для 3 и 8, оно равно 24, а затем дополнительные множители, которые одновременно являются стехнометрическими коэффициентами перед формулами окислителя и восстановителя в левой части молекулярного уравнения реакции и соответствующих им соединений в правой части уравнений.
Внутри вертикальных линий помещены множители (3 и 8), которые служат для выравнивания чисел электронов, отдаваемых донором их (т. е. частицами 5 -) и приобретаемых акцептором электронов (т. е. частицами Ы +). Эти же числа служат стехиометрическими коэффициентами в молекулярном уравне- [c.52]
Как явствует из их названия, донорно-акцепторные комплексы [29] всегда состоят из двух молекул донора и акцептора. Донор может поставлять либо неподеленную пару электронов (п-донор), либо пару электронов л-орбитали двойной связи или ароматической системы (я-донор). Присутствие такого комплекса можно установить по электронному спектру, такой спектр (наличие полосы переноса заряда) обычно отличается от суммы спектров двух индивидуальных соединений [30]. Поскольку первое возбужденное состояние комплекса относительно близко по энергии основному состоянию, в спектре присутствует пик в видимой или близкой ультрафиолетовой области донорно-акцепторные комплексы часто бывают окрашены. Многие комплексы неустойчивы и существуют только в растворах в равновесии со своими компонентами однако известны и устойчивые комплексы, существующие в твердом состоянии. В большинство комплексов молекулы донора и акцептора входят в соотношении 1 1 или в других соотношениях целых чисел, но известны некоторые комплексы с нецелочисленн
Разница между Донорными и Акцепторными примесями
Основное различие между Донорными и Акцепторными примесями заключается в том, что элементы в группе V периодической таблицы элементов обычно действуют как Донорные примеси (отдающие), тогда как элементы в группе III обычно действуют как Акцепторные примеси (принимающие).
Содержание
- Обзор и основные отличия
- Что такое Донорные примеси
- Что такое Акцепторные примеси
- В чем разница между Донорными и Акцепторными примесями
- Заключение
Что такое Донорная примесь?
Донорные примеси — это донорные (отдающие) химические элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности. Элементы в V группе периодической таблицы элементов являются общими донорными примесями. Донором является атом или группа атомов, которые могут образовывать области n-типа (от англ. «negativ» — что переводится как «отрицательный») при добавлении в полупроводник. Типичным примером является кремний (Si).

К элементам V группы, которые часто служат в качестве донорных примесей, относятся мышьяк (As), фосфор (P), висмут (Bi) и сурьму (Sb). Эти элементы имеют пять электронов в своей внешней электронной оболочке (у них есть пять валентных электронов). При добавлении одного из этих примесных элементов к кремнию, образуется четыре ковалентные связи.
Но теперь есть свободный электрон, так как было пять валентных электронов. Этот электрон так и останется свободным электроном, что увеличит проводимость полупроводника. Число примесных атомов определяет количество свободных электронов, присутствующих в доноре.
Что такое Акцепторная примесь?
Акцепторная примесь представляют собой акцепторные (принимающие) химические элементы, добавляемые в полупроводник для увеличения его электропроводности. Элементы в III группе периодической таблицы элементов используются в качестве акцепторных примесей. Эти элементы включают алюминий (Al), бор (B) и галлий (Ga). Акцептор представляет собой легирующую примесь, которая образует области р-типа (от англ. «positiv» — что переводится как «положительный») при добавлении в полупроводник. Атомы акцепторных примесей имеют три валентных электрона в своих внешних электронных оболочках.

При добавлении в полупроводник акцепторного атома примеси, например такого как алюминий, он заменяет атомы кремния в полупроводнике. Перед этим атом кремния имеет вокруг себя четыре ковалентные связи. Когда атом алюминия занимает положение кремния, этот атом алюминия образует только три ковалентные связи, что, в свою очередь, приводит к образованию свободной вакансии ковалентной связи у соседних атомов. Эта свободная вакансия называется дыркой. Из соседней ковалентной связи на место свободной дырки может перескочить электрон. Эти дырки используются при прохождении электричества через полупроводник. При прохождении электричества в полупроводнике происходит хаотическое блуждание дырок.
Когда число добавленных примесных атомов увеличивается, число дырок, присутствующих в полупроводнике, также увеличивается. Это добавление примеси, увеличивает проводимость в полупроводнике. После завершения процесса легирования полупроводник становится внешним (легированным) полупроводником.
В чем разница между Донорными и Акцепторными примесями?
Донорные против Акцепторных примесей | |
Донорные примеси — это донорные элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности | Акцепторные примеси представляют собой акцепторные элементы, добавляемые к полупроводнику для увеличения его электропроводности |
Распространенные примеси | |
Элементы V группы | Элементы III группы |
Примеры примесей | |
Мышьяк (As), фосфор (P), висмут (Bi) и сурьма (Sb) | Алюминий (Al), бор (B) и галлий (Ga) |
Процесс | |
Увеличение свободных электронов в полупроводнике | Увеличение дырок в полупроводнике |
Валентные Электроны | |
Атомы имеют пять валентных электронов | Атомы имеют три валентных электрона |
Ковалентное соединение | |
Образует четыре ковалентные связи внутри полупроводника, оставляя пятый электрон в качестве свободного электрона | Образует три ковалентные связи внутри полупроводника, оставляя дырку, где ковалентная связь отсутствует |
Заключение — Донорные против Акцепторных примесей
Полупроводники — это материалы, занимающие промежуточное место между диэлектриками, который не является проводником, и проводниками. Доноры и Акцепторы — это легирующие примеси, которые образуют проводящие электрический ток области в полупроводниках. Легирование Донором или Акцептором — это процессы, которые увеличивают электропроводность полупроводника. Основное различие между Донорными и Акцепторными примесями заключается в том, что элементы в III группе периодической таблицы действуют как Донорные примеси, тогда как элементы в V группе действуют как Акцепторные примеси.
Примеси и примесные уровни в полупроводниках. Доноры и акцепторы.
Реальные твердые тела содержат примеси, которые появляются в результате специального легирования, либо неконтролируемым образом. Наличие дефекта приводит к нарушению идеальной периодичности одноэлектронного потенциала электрона в кристалле. Это нарушение может быть описано введением дополнительной потенциальной энергии, локализованной в месте расположения дефекта.
В приближении
эффективной массы необходимо решить
уравнение типа (1.56), где — потенциал примесного иона, действующий
на электрон. Рассмотрим, для определенности
примесный атом элемента V
группы периодической таблицы, замещающий
атом IV-валентного
полупроводника. Четыре электрона примеси
участвуют в образовании ковалентной
связи с четырьмя ближайшими соседями.
Пятый электрон оказывается в кристалле
полупроводника, в котором на место
нейтрального исходного атома помещен
однократно положительно заряженный
ион. Если принять, что поле иона примеси,
действующее на «лишний» электрон
кулоновское, то в приближении эффективной
массы получаем водородоподобную задачу.
Эффективная масса зонного электрона,
однако, отличается от массы свободного
электрона (обычно в меньшую сторону).
Кроме того, радиус волновой функции
связанного состояния достаточно велик
(охватывает несколько постоянных
решетки). Это приводит к необходимости
учета экранирования кулоновского поля
иона примеси посредством введения
диэлектрической проницаемости
полупроводника
в потенциальную энергию взаимодействия
электрона с ионом примеси. Таким образом,
уравнение водородоподобной задачи для
электрона простого донорного центра
замещения имеет вид
,
(1.69)
и
энергия связанного состояния, отсчитанная
от дна зоны проводимости, принимает
значения: (1.70)
Энергия ионизации
донорной примеси составляет , где
— энергия ионизации атома водорода, и
составляет величину порядка 0,006 эВ в
Ge,
0,025 эВ в Si
и 0,007 эВ в GaAs.
Размер первой боровской орбиты
определяется соотношением
(1.71)
Оценки радиуса
локализованного состояния мелкого
донора в Ge
и Si
дают значения 64 и 30
,
соответственно.
Пусть теперь один из атомов четырехвалентного основного вещества замещается трехвалентным атомом, например, атом кремния атомом Бора. Три валентных электрона Бора образуют связи с соседними атомами кремния, однако четвертая связь остается незаполненной (не хватает одного электрона). Эта незаполненная связь локализована на примесном центре. Однако, если из состояния валентной зоны добавить на эту связь электрон, то центр превратится в отрицательно заряженный ион квазиосновного вещества и при этом появится дырка в валентной зоне. Эта дырка притягивается к отрицательно заряженному иону примеси и может иметь связанные состояния с уровнями энергии, лежащими в запрещенной зоне (отсчет энергий для дырок производится от вершины вглубь валентной зоны. Уравнение движения дырки в приближении эффективной массы в кулоновском поле примеси является водородоподобным и имеет решения для энергии (отсчет от вершины валентной зоны вглубь запрещенной зоны.
(1.72)
Основной уровень дырки на примесном центре должен находиться на расстоянии примерно 0,015 эВ в Ge, 0,05 эВ в Si и 0,05 эВ в GaAs. Дырка в связанном состоянии локализована на примесном центре в области радиуса боровской орбиты. Однако, если ей сообщить энергию, равную энергии связи, то она становится зонной и делокализуется по всему кристаллу. Поскольку энергия связи дырки на центре мала, то уже при комнатных температурах она легко переходит в свободное зонное состояние. Примесный центр, который легко отдает дырку в валентную зону, называется акцептором. Из формул (1.70), (1.72) следует, что у донора и акцептора наряду с основным уровнем, существуют возбужденные состояния. Эти состояния были обнаружены при исследовании поглощения инфракрасного излучения.
Предположение о том, что примеси не влияют друг на друга и их можно описывать независимо справедливо только при их относительно низких концентрациях (меньших 1016 см-3 ). При больших концентрациях волновые функции примесных центров начинают перекрываться и вместо одиночных примесных уровней получается примесная зона. Волновая функция частицы в такой зоне представляет собой суперпозицию волновых функций, центрированных на отдельных примесных центрах. В данном случае уже нельзя сказать, что электрон или дырка локализован на данной примеси – они принадлежат всему кристаллу. При еще более высокой концентрации примесей интегралы перекрытия превзойдут энергию ионизации примесных центров. Примесные зоны сливаются с обычной зоной, от которой отщепились примесные уровни в случае малой концентрации центров.
Упрощенная
водородоподобная модель не позволяет
точно рассчитать энергии уровней
различных примесных центров в
полупроводниках. Особенно это относится
к глубоким примесным уровням, что видно
из
экспериментальных данных, приведенных на рис 1.8
Рис 1.8 Значения энергии ионизации различных примесных состояний в Si
Метод эффективной массы оказывается неприменимым в задаче об уровнях, лежащих глубоко в запрещенной зоне. Такие уровни возникают в случае вакансии иона в кристалле, или при замещении или внедрении атомов вещества, резко отличающихся по свойствам от атомов основного материала.
Отсутствие отрицательного иона в решетке эквивалентно наличию локализованного положительного заряда. Электрон испытывает притяжение к центру мощного короткодействующего потенциала. Оценки показывают, что радиус волновой функции в данном случае порядка нескольких постоянных решетки. Электрон уже не «чувствует» кристаллического потенциала, в данном случае лучше работает приближение примесной молекулы. В этом приближении диэлектрическая проницаемость принимается равной единице (нет экранирования электрического поля), электрон берется с обычной массой свободной частицы, потенциал, действующий на электрон, аппроксимируется параболической или прямоугольной ямой. Для рассматриваемой квазимолекулы важным является адиабатическое приближение, позволяющее разделить электронную и ионную задачи. Вид адиабатического потенциала и положение его минимума зависит от энергии электронного уровня. При быстрых электронных переходах в F-центрах выполняется адиабатический принцип – переход происходит без изменения ионных координат.
Оптические
явления с участием глубоких примесных
уровней могут быть рассмотрены в модели
короткодействующего потенциала,
использованного Бете для процесса
фоторасщепления дейтрона под действием -излучения.
Если рассматриваются переходы из
связанного состояния в зонные (или
свободные) с малыми значениями
квазиимпульса (вблизи порога фотоионизации),
то в Фурье-разложении примесной волновой
функции важны гармоники с малыми
волновыми векторами, что отвечает
поведению функции в координатном
представлении на больших расстояниях
от центра. Поэтому становится важной
асимптотическая часть функции вдали
от центра, а не вблизи сердцевины. Модель
потенциала нулевого радиуса может быть
многозонной, однако, обычно используется
однозонное или двухзонное приближение.
Будем искать решение уравнения (1.48) в виде разложения (1.49)
При этом получим (1.73)
где — короткодействующий потенциал примесного
центра. Умножая (1.73) слева на
и интегрируя, получим
(1.74)
где — блоховская амплитуда. Соотношение
(1.74) точное, справедливое для любого
потенциала. Считая потенциал
короткодействующим, с радиусом действия
r0, замечаем, что для kr0 <<1
экспоненту под знаком интеграла в (1.74)
можно положить равной единице. Обозначая
Получим (1.75)
Соотношение (1.75) позволяет рассчитать вероятности оптических переходов с глубокого примесного уровня в зону. Поскольку переход происходит в зонное блоховское состояние, использование условия ортонормированности блоховских функций снимает суммирование, и результат получается в виде аналитического выражения, содержащего зонные параметры и частоту излучения.
Донор (физика) — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
У этого термина существуют и другие значения, см. Донор.
Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV группы периодической системы элементов (кремнии, германии) однозарядными донорами являются элементы V группы: фосфор, мышьяк, сурьма. Так как элементы пятой группы обладают валентностью 5, то четыре электрона образуют химическую связь с четырьмя соседними атомами кремния в решётке, а пятый электрон оказывается слабо связанным (энергия связи порядка нескольких сотых электрон-вольта) и образует так называемый водородоподобный примесный центр, энергию которого просто оценить из решения уравнения Шрёдингера для атома водорода, принимая во внимание, что электрон в кристалле — квазичастица и его эффективная масса отличается от массы электрона, а также, что электрон движется не в вакууме, а в среде с некой (порядка 10) диэлектрической проницаемостью.
Атомы донорных примесей, которые вводятся в полупроводник и отдают ему один или несколько электронов, создают избыток электронов и формируют так называемый полупроводник n-типа. Атом донора удерживает лишний электрон слабо, и при достаточной температуре этот электрон может перейти в зону проводимости и участвовать в электропроводности кристалла.
Дополнительный электрон, связанный с атомом донора, образует так называемый донорный уровень в запрещенной зоне. Донорный уровень называется мелким, если его энергия (отсчитываемая от дна зоны проводимости) сравнима с характерной энергией теплового движения при комнатной температуре kbT{\displaystyle k_{b}T}, где T{\displaystyle T} — температура, а kB{\displaystyle k_{B}} — постоянная Больцмана. Эта энергия составляет примерно 26 мэВ. Мелкими донорами могут быть не только примесные атомы, но и комплексы структурных дефектов (например т. н. термодоноры в кремнии). Многие примеси и точечные дефекты, (например золото и медь в кремнии, вакансии, являются глубокими донорами. В отличие от мелких доноров, они слабо влияют на удельное электросопротивление, но существенно снижают время жизни неравновесных носителей заряда.
Лишний электрон притягивается кулоновской силой к иону донора, который имеет избыточный положительный заряд по сравнению с атомами полупроводника. Вследствие такого притяжения донорные уровни образуют водородоподобную серию с энергиями, которые можно рассчитать по формуле
- Ed=EC−RHme∗/m0ε21n2{\displaystyle E_{d}=E_{C}-R_{H}{\frac {m_{e}^{*}/m_{0}}{\varepsilon ^{2}}}{\frac {1}{n^{2}}}}
где Ed{\displaystyle E_{d}} — энергия донорного уровня, EC{\displaystyle E_{C}} — энергия дна зоны проводимости, RH{\displaystyle R_{H}} — постоянная Ридберга (примерно 13,6 эВ), me∗{\displaystyle m_{e}^{*}} — эффективная масса электрона, m0{\displaystyle m_{0}} — масса свободного электрона, ε{\displaystyle \varepsilon } — диэлектрическая проницаемость полупроводника, а n — целое число, которое может принимать значения от единицы до бесконечности, но практически важны лишь несколько самых низких уровней с малыми n.
Благодаря тому обстоятельству, что эффективные массы электронов в полупроводниках малы, а диэлектрические проницаемости довольно большие (порядка 10), энергия донорных уровней мала, а радиусы локализации соответствующих волновых функций довольно большие ~10 нм, распространяются на несколько периодов кристаллической решетки.
- Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. — 2-е изд., доп. и перераб.. — М.: Наука, 1978. — 615 с.
Примесные полупроводники | Kursak.NET
Большинство полупроводниковых приборов изготовляют на основе примесных полупроводников.
Кристаллы полупроводников неизбежно в реальных условиях обладают определенным количеством посторонней примеси, даже если требуется получить материал очень высокой степени чистоты.
Примеси также специально вводятся во время роста кристаллов с целью получить полупроводник с заданными электрическими свойствами, при изготовлении приборных структур. Такие полупроводники называются легированными или примесными.
Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.
ДОНОР – это примесный атом или дефект кристаллической решетки, способный в возбужденном состоянии отдать электрон в зону проводимости.
АКЦЕПТОР – это примесный атом или дефект кристаллической решетки, свободный от электрона в невозбужденном состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны в возбужденном состоянии.
Рис.3.3. Донорная 5-и валентная (As, Sb) и акцепторная 3-х валентная (In, B) примеси
При небольшой концентрации примесей (~1 на 10 6 ) их атомы расположены в полупроводнике на таких больших расстояниях друг от друга, что не взаимодействуют между собой.
Вероятность непосредственного перехода электронов от одного примесного атома к другому ничтожно мала, т. е. с точки зрения зонной теории не происходит расщепления примесных уровней.
Атомы примеси, отличаясь от атомов основного кристалла валентностью, создают уровни разрешенных энергий электронов в запрещенной зоне, которые либо могут поставлять электроны в зону проводимости, либо принимать на себя электроны из валентной зоны
Рис.3.4 Зонные диаграммы примесных полупроводников
Доноры и акцепторы имеют энергетические уровни в запрещенной зоне собственного п/п.
Энергиия ионизации донора минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донорном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости.
Энергия ионизации акцептора — это минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы перевести его на акцепторный уровень.
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей.
Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют полупроводником n-типа, если электропроводность обусловлена дырками — полупроводником р-типа.